金融界2025年4月5日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种匀气结构及半导体设备”的专利，公开号CN119753635A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种匀气结构及半导体设备，所述匀气结构包括：分气挡板，设置于所述喷淋板和进气通道之间，且与所述喷淋板之间留有间隙，用于对进入所述喷淋板的气体进行均匀性处理，所述间隙产生壅塞流；调节组件，用于调节所述间隙距离，以使所述壅塞流在所述间隙内的位置发生变化。本发明通过在喷淋板上方配置分气挡板，实现了对喷淋板气体分布均匀性的提升。并且通过调节装置对分气挡板与喷淋板之间的间隙距离进行调整，使得分气挡板与喷淋板之间形成的壅塞流位置得以改变，这样可以对气体流场的均匀性产生影响，进而作用于对气体分布敏感的参数，从而实现不同形状薄膜的生产，并且还能够确保薄膜厚度在片内的均一性，提高生产效率。

天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币，实缴资本36168.02万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息263条，此外企业还拥有行政许可10个。

本文源自：金融界